Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662) Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662) 2021年度報告

会社コード: Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662) 会社略称: Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662) Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662)

2021年度レポート

重要なヒント

一、当社の取締役会、監事会及び取締役、監事、高級管理者は年度報告内容の真実性、正確性、完全性を保証し、虚偽記載、誤導性陳述或いは重大な漏れがなく、個別と連帯の法律責任を負う。二、会社の上場時に利益がなく、利益が実現していない□はい√いいえ三、重大なリスク提示

会社はすでに本報告書で会社が経営過程で直面する可能性のある各種リスクを詳しく述べており、本報告書の第3節「管理層討論と分析」を参照してください。四、会社の取締役全員が取締役会会議に出席する。五、中審衆環会計士事務所(特殊普通パートナー)は当社のために標準的な保留意見のない監査報告書を発行した。六、会社の責任者劉富林、主管会計業務責任者劉春光及び会計機構責任者(会計主管者)徐潔穎声明:年度報告中の財務報告の真実、正確、完全を保証する。七、取締役会決議により可決された本紙告期利益分配予案又は積立金転増株本予案

会社の第4期取締役会第2回会議の審議を経て、会社の2021年度利益分配予案の内容は以下の通りである。

本公告の開示日に登録された総株式88240000株を基数として、全株主に10株当たり現金配当4元(税込)を支給し、合計3529 Shanghai Pudong Development Bank Co.Ltd(600000) 0元(税込)を支給し、会社の当年度連結報告書が上場会社の株主の純利益に帰属する割合は39.94%である。2021年度、会社は配当金を送らず、資本積立金で株式を増額しない。

上述の利益分配予案はすでに会社の独立取締役が一致して同意した独立意見を発表し、この利益分配予案は会社の2021年年度株主総会の審議を経て通過した後に実施しなければならない。八、会社の管理の特殊な手配などの重要な事項があるかどうか□適用√適用しない九、展望性陳述のリスク声明√適用□適用しない

本報告書に関連する将来計画、発展戦略などの展望的な説明は、会社の投資家に対する実質的な承諾を構成しません。投資家に投資リスクに注意してください。十、持株株主及びその関連者の非経営性占用資金が存在するかどうか

いいえ

十一、規定の決定手順に違反して対外に保証を提供する場合があるかどうか

No十二、取締役の半数以上が会社が公表した年度報告書の真実性、正確性と完全性を保証できないかNo十三、その他□適用√適用しない

目次

第一節釈義……4第二節会社概要と主な財務指標……8第三節管理層の討論と分析……13第四節会社のガバナンス……62第五節環境、社会的責任、その他の会社のガバナンス……79第六節重要事項……86第七節株式変動及び株主状況…103第8節優先株に関する状況……112第九節社債に関する状況……113第十節財務報告書……113

会社の法定代表者、主管会計業務責任者、会計機構責任者の署名と捺印を記載した財務諸表

書類目録には、会計士事務所が捺印、公認会計士が署名し捺印した監査報告書の原本が記載されている

報告期間内に中国証券監督管理委員会がウェブサイトで公開したすべての会社の文書の本文と公告の原稿を制定する。

第一節の解釈

一、釈義本報告書において、文義が別に指す場合を除き、以下の語は以下の意味を有する:常用語釈義当社、会社、 Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662)Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662)

万士達は成都万士達磁器業有限会社を指し、会社の持株子会社である。

デバイス会社は広東富信熱電デバイス科学技術有限会社を指し、会社の完全子会社である。

あだ名豊投資とはRichly World Investment Limited、すなわちあだ名豊投資有限会社を指す。

連合投資とは、Allied Rising Investment Limited、すなわち連合投資有限会社を指す。

東昇国際指東昇国際発展有限会社

共青城富楽とは、共青城富楽投資管理パートナー企業(有限パートナー)を指す。

共青城地沢とは、共青城地沢投資管理パートナー企業(有限パートナー)を指す。

Zhongtai Securities Co.Ltd(600918) 、推薦人、推薦指 Zhongtai Securities Co.Ltd(600918) 機構、主な販売業者

弁護士とは北京徳和衡弁護士事務所を指す

会計士、監査機構とは、中審衆環会計士事務所(特殊普通パートナー)を指す。

会社定款指 Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662) 定款

取締役会指 Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662) 取締役会

监事会指 Guangdong Fuxin Technology Co.Ltd(688662) 监事会

当社以外の社員が担当する取締役。会社では取締役と取締役会の外部取締役が専門委員会の関連職務を指す以外の職務を担当せず、執行層の事務を担当せず、会社の株式の5%以上の法人株主から委任された第3回取締役のRobert Frank DoddsJr、範衛星、第4回董事林東平を含む。

半導体熱電モジュール、熱電素子、半導体熱電チップとも称する、銅被覆セラミック基板、及び半導体結晶粒、導線等の熱電素子からなる、半導体材料の熱電効果により電気エネルギーと熱エネルギーの直接相互変換を実現する電子素子であって、熱電変換の方向によって異なる、半導体熱電冷凍装置と半導体温度差発電装置に分けられる。

Thermoelectric Cooling Modules(Thermoelectric Cooling Modules)は、TEC、熱電冷凍装置、半導体熱電冷凍アセンブリ、冷凍シート、半導体熱電冷凍チップとも呼ばれ、利半導体熱電冷凍装置とは、半導体材料のPeltier effectで冷凍または加熱を実現する電子デバイスを指す。会社のTEC製品は単段熱電冷凍装置、マイクロ熱電冷凍装置、多段熱電冷凍装置などのタイプを含む。

Thermoelectric Power Generator(Thermoelectric Power Generator)は、TEG、温度差発電デバイス、半半半導体温度差発電デバイスとも呼ばれ、半導体材料のゼベック効果(Seebeck effect)を利用して発電を実現する電子デバイスである。

Peltier effectは、フランス人のペルージェによって最初に発見された。ペルージェ効果が2つの異なる導電材料からなる回路を直流電気が通過すると、接点に吸熱や放熱が発生する現象である。

Seebeck effectは、1821年にドイツの科学者ゼベックによって発見された。ゼベック効果はペルシェ効果の逆過程であり、2つの異なる導電材料がゼベック効果を回路として構築する際に、そのうちの1つのノードを加熱し、もう1つのノードを低温に保ち、回路の中で導電材料の2つのノードに温度差があるため、電動ポテンシャルを生じる。回路電流の現象。

ホワイトシートとも呼ばれ、アルミナ含有量96%のセラミック基板を指し、厚さ約0.25 mm~1.2 mmのセラミック基板を指す。96%アルミナセラミック基板は高い熱伝導率と良好な絶縁強度を有し、高圧に耐え、高温に耐え、腐食を防ぎ、セラミック回路基板を作製する基礎材料である。

銅被覆セラミック基板とは、DBC(DirectBond Copper)技術を用いて銅箔被覆銅板をセラミック基板表面に直接焼結して作製した電子基礎材料であり、優れた耐熱サイクル性を有し、形状が安定し、熱伝導率が高く、信頼性が高く、電流容量が大きく、機械強度が高い。

無次元熱電性能優値ZTは、ゼベック係数、電気伝導率、熱伝導率ZT値指率の3種類の材料物性パラメータと対応温度計算から得られた複合パラメータであり、材料の熱、電気特性の総合的な体現であり、熱電材料のZT値が大きいほど、熱電変換効率が高い。

熱エネルギーと電気エネルギーの両者の間の変換効率は、熱エネルギーから電気エネルギーおよび電気エネルギーから熱(冷)エネルギーへの変換方向によって、具体的には発電効率と冷房効率に分けられる。発熱電気変換効率とは、デバイスが負荷に出力する電気電力とデバイス吸熱電力との比、すなわち、単位入力熱エネルギーが負荷に変換される出力電気エネルギー値として定義される。冷房効率は、デバイスの冷房電力と入力電力との比、すなわち単位電力で発生する冷房エネルギー値として定義される。

テルル化ビスマス(Bi 2 Te 3)系熱電材料は1950年代に発見され、このテルル化ビスマス系材料は室温付近で優れた熱電性能を有し、室温付近の冷房及び発電に広く用いられ、現在の熱電材料の中で唯一広く商業化応用されている熱電材料体系である。

半導体の導電機構は自己電子と正孔である。半導体中の価電子は原子核に束縛され,結晶中で自己運動できない。自由電子と正孔は価p型であり,n型半導体は電子が熱励起された後に運動状態を変化させて生じることを指す。n型半導体の場合、その導電機構は自由電子であり、p型半導体の場合、その導電機構は正孔であり、自由電子との違いは電荷が等しく符号が逆である。

熱電冷凍装置寸法指標はWが冷凍装置基板幅、L 1が冷端基板長、L 2が熱端基板長、Hが冷凍装置高さを指す。

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