\u3000\u3 Jointo Energy Investment Co.Ltd.Hebei(000600) 460 Hangzhou Silan Microelectronics Co.Ltd(600460) )
21年の会社は前年同期比損をし、大幅な利益を得た。21年の会社の売上高は71.94億元(YoY+68%)、帰母純利益は15.18億元(YoY+2145%)、非帰母純利益は8.95億元(YoY+3908%)だった。そのうち、デバイス(53%)、集積回路(32%)、発光ダイオード(10%)は、38億元(YoY+73%)、23億元(YoY+62%)、7億元(YoY+81%)の収入に対応した。4 Q売上高は19.7億元(YoY+49%)で、非帰母純利益は2.1億元(YoY+840%)、粗利率は34.11%(YoY+8.52 pct)だった。
IGBTは太陽光発電、新エネルギー自動車の分野で急速に開拓されている。21年会社は自主的に研究開発したV世代IGBTとFRDチップの新エネルギー自動車のメインモーターの駆動モジュールに基づいてすでに量産の供給を実現して、光起電力IGBTデバイスはすでに主要なインバータメーカーに入って、製品は Byd Company Limited(002594) 、匯川、日光などの取引先の認可を獲得します。22年のIGBT製品は12インチの生産能力の放出に伴って急速に増加すると予想されている。また、SiCMOSFETのゲージ級デバイスの開発が完了し、同社は6インチSiC量産ラインを建設し、22年3 Qラインを建設する予定だ。
IPMモジュール、MEMSセンサの進展は喜ばしく、集積回路の多製品ラインが並んでいる。21年、工業、白電用IPMモジュールの売上高は8.6億元(YoY+100%)を突破し、22年のIPM供給量は倍増する見込みだ。MEMSセンサーの売上高は2.6億元(YoY+80%)を突破した。このうち加速度センサーは多くの携帯電話メーカーで大量に供給されており、22年の出荷量はさらに増加する見通しだ。また、PoEチップ、DC-DC電源チップ、MCUなどの製品は急速に開拓されている。
業界の供給は持続的に緊張しており、生産能力の放出は著しい利益を得ている。現在、IGBT、中高級MOSFETの供給は依然として緊張しており、英飛凌などの国際大手工場は続々と値上げの手紙を発表している。この背景の下で、会社の生産能力は持続的に釈放され、成長の黄金期を迎えている。21年、会社の5.6インチラインの満産、8インチラインの産出は14.90%増加した。12インチラインは1期4万枚/月生産能力の坂を登り、年間チップ生産量は20万枚を超えた。22年、同社の12インチ生産ラインの1期生産能力は4万枚で安定供給段階に入り、2期2万枚/月生産能力建設は着実に推進される。
製品構造が最適化され、各生産ラインのASPは持続的に向上している。製品構造のアップグレードのおかげで、21年の年間会社の5/6インチ線ASPは636元(YoY+5%)である。8インチラインASPは1681元(YoY+21%)である。12インチラインASP 3933元で、1 H 21より11.7%増加した。22年、MEMSセンサーの8インチ線量、IGBTなどの中・ハイエンドデバイスの12インチ線上での割合が上昇し、欠品相場で国産代替プロセスが加速するにつれて、会社の売上高は持続的に増加する見込みだ。
投資アドバイス:下流の需要は引き続き旺盛で、「購入」の格付けを維持している。
20222024年の売上高は103128/153億元、帰母純利益は16.0/20.6/25.1億元と予想され、現在の株価対応PEはそれぞれ48/37/31 xである。会社の太陽光発電、新エネルギー自動車IGBTの開拓は順調で、製品の生産能力は二重にアップグレードし、「購入」の格付けを維持している。
リスクヒント:生産能力の上昇は予想に及ばず、下流市場の需要は予想に及ばない。
