Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.Ltd(300373) 公司简评报告:伝统的なパワーデバイスの下流は持続的に広がり、IGBTなどの新商品の未来は

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核心的な観点.

コア不足と下流需要の爆発を受け、伝統的な製品ラインはIGBTなどの新製品と共同で力を入れている。2021年、会社の収入は43.97億元で、前年同期+68.00%だった。帰母純利益は7.68億元で、前年同期比+103.06%だった。このうち、半導体デバイスの収入は35.18億元で、前年同期比+70.82%だった。半導体チップの収入は4.94億元で、前年同期比+23.94%だった。半導体シリコンチップの収入は3億3200万元で、前年同期比+159.98%だった。2021年、会社の中高級新製品ラインは目立った成績を収め、MOSFET、小信号、IGBTとモジュール製品の収入はそれぞれ前年同期比+130%、+82%、+500%と+35%だった。

粗金利水準は安定を維持し、純金利は大幅に上昇した。2021年の会社の粗金利は35.12%で、前年同期比+0.84 pctだった。純金利は18.77%で、前年同期比+4.18 pctだった。2021年、会社は上流原材料価格の値上げを下流に順調に伝え、粗利率のレベルは前年同期より安定している。規模効果とリーン管理の恩恵を受けて、会社の期間の費用率はある程度下がって、2021年の会社の管理費用率、販売費用率、研究開発費用率と財務費用率はそれぞれ5.18%、3.33%、5.50%と-0.11%で、前年同期よりそれぞれ-1.2 pct、-0.18 pct、+0.49 pctと-0.91 pctだった。

高い研究開発の投入を続け、ハイエンド製品の着地を加速させる。2021年の会社の研究開発費用は2.42億元で、前年同期+84.46%だった。2021年、会社の1200 V IGBTチップはシリーズ化開発を完成し、IGBTモジュールは大量の注文を獲得した。クリーンエネルギー市場に応用された1200 V 40 A、650 V 50 A/75 AIGBT単管はすでに小ロット生産で納品されている。高圧SJMOSでは、600 V/650 V/700 Vの3シリーズの製品設計開発とフローシートを初歩的に完成した。また、SiCモジュールおよび650 V SiC SBD、1200 VシリーズSiC SBDの全シリーズ製品の開発と市場発売に成功し、SiC MOSは重要な進展を遂げた。

同社の従来のパワーデバイスやIGBT、SiCなどの新製品が新エネルギーと自動車分野で開拓されていることを期待している。会社は貿易で起業し、近年から大顧客集中戦略を実行し始め、下流業界のトップ顧客に良好な大顧客直販ルートを持っている。太陽光発電、新エネルギー自動車などの下流の盛んな発展に伴い、同社のIGBT、SiC、中高級MOS製品の導入を加速させることが期待されている。2022年を展望して、会社は工業の周波数変換、自動化、ネット通などの工業電子分野を大いに開拓して、重点的に5 G通信、自動車電子、セキュリティ、太陽光発電のマイクロインバータなどのハイエンド市場を配置して、会社の新しい利益の成長点を掘り起こします。

利益予測:当社は20222023/2024年の帰母純利益がそれぞれ11.45/15.63/21.21億元で、4月22日の株価PEがそれぞれ29/21/16倍で、「購入」格付けを維持すると予想している。

リスク提示:下流の需要が減速し、製品の研究開発と検証が予想に及ばず、生産能力が予想に及ばない。

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