\u3000\u3 Jointo Energy Investment Co.Ltd.Hebei(000600) 745 Wingtech Technology Co.Ltd(600745) )
核心的な観点.
1 Q 22収入は前年同期比23%増加し、純利益の公正価値変動損失は前年同期比減少した。会社は2021年に527億元(YoY 2%)、帰母純利益26億元(YoY 8%)、非帰母純利益22億元(YoY 4%)、粗利率16.17%(+0.97 pct)、純金利4.77%(+0.01 pct)を計上した。1 Q 22の売上高は148億元(YoY 23%、QoQ 5%)、帰母純利益は5億元(YoY-23%、QoQ-12%)で、純利益の減少は主に株価の変動による公正価値の変動損失は2.79億元で、粗利率は17.75%で、前年同期比2.19 pct上昇し、前月比2.45 ct上昇した。純金利は3.32%で、前年同期比2.12 pct減、前月比0.51 pct減だった。新製品の新業務を開拓するために、会社は2021年に研究開発に37億元を投入し、収入は7%を占め、そのうち10億元が資本化され、27億元が費用化された。
半導体1 Q 22の純利益は41%増加し、研究開発を拡大し、製品ラインを拡大した。会社の21年の半導体収入は138億元(YoY 39.5%)、粗利率は37.17%、純利益は26億元(YoY 166%)、下流応用は主に自動車(44%)、移動及び着用設備(23%)、工業と電力(23%)、コンピュータ設備(5%)、消費(5%)である。製品ラインは主にトランジスタ(50.33%)、Mosfetパワーチューブ(27.53%)、アナログと論理IC(16.57%)である。1 Q 22収入40億元(YoY 9.6%)、粗利率42.94%、純利益8.5億元(YoY 41%)。コア研究データによると、21年に安世グループは世界6位のパワー半導体会社に入り、3位に上昇し、中国のパワー半導体会社の1位を維持した。21年に同社の半導体研究開発に8.37億元を投入し、中高圧Mosfet、化合物半導体製品SiCとGaN製品、IGBT、アナログ類製品の研究開発をさらに強化した。
製品集積業務新製品新顧客は収穫期に入り、光学モジュール業務の損失は縮小した。2021年会社の製品集積業務収入は387億元(YoY-7%)、粗利率は8.71%、純利益は1.84億元、研究開発投入は27.82億元である。1 Q 22収入103億元(YoY 20%)、粗利率9.44%、純損失0.40億元、1 Q 22携帯電話ODM業務は順調に進展し、非携帯電話業務は絶えず新しい顧客、新しい注文を獲得し、損失の主な原因は非携帯電話業務がプロジェクトの研究開発、試作などの前期に依然として関連費用の支出があり、将来プロジェクトの量産に伴って収入に貢献することである。2021年の光学モジュール業務の純損失は3.35億元、帰母損失は2.34億元、1 Q 22の純損失は0.39億元に縮小し、帰母純損失は0.27億元である。昨年11月にデュアルカメラの供給を再開した後、同社は新材料番号の検証を積極的に推進し、車載光学、AR/VR光学、ペン電などの分野での製品の応用をさらに推進している。
投資提案:半導体高景気が続き、その他の業務が徐々に好転し、「購入」格付けを維持している。EPSは3.39/4.42/5.26元で、2022年4月25日の株価に対応するPEはそれぞれ17.7/13.5/11.4 xだった。同社の半導体事業は高景気を続け、製品集積事業と光学モジュール事業の収益状況が好転し、「購入」格付けを維持している。
リスクのヒント:生産能力の解放は予想に及ばず、顧客の導入は予想に及ばず、需要は予想に及ばない。
