会社コード：688082会社略称：盛美上海盛美半導体設備（上海）株式会社2021年年度報告
重要なヒント
一、当社の取締役会、監事会及び取締役、監事、高級管理者は年度報告内容の真実性、正確性、完全性を保証し、虚偽記載、誤導性陳述或いは重大な漏れがなく、個別と連帯の法律責任を負う。二、会社の上場時に利益がなく、利益が実現していない□はい√いいえ三、重大なリスク提示
報告期間内に、会社の生産経営に実質的な影響を及ぼす特に重大なリスクは存在しない。会社はすでに報告書に存在する可能性のあるリスクについて詳しく説明しています。「第3節管理層の討論と分析:四、リスク要因」の部分を参照してください。四、会社の取締役全員が取締役会会議に出席する。五、立信会計士事務所(特殊普通パートナー)は当社のために標準的な保留意見のない監査報告書を発行した。
六、会社の責任者HUI WANG、主管会計業務責任者LISA YI LU FENG及び会計機構責任者(会計責任者)LISA YI LU FENG声明：年度報告における財務報告の真実、正確、完全を保証する。
七、取締役会決議により可決された本紙告期利益分配予案又は積立金転増株本予案
会社が現在発展期にあることを十分に考慮して、研究開発プロジェクトと経営規模は絶えず拡大して、資金の需要はわりに大きくて、全体の株主の長期的な利益をもっとよく維持するために、会社の持続可能な発展と資金の需要を保障して、会社は2021年度に利益の分配を行わないつもりで、資本積立金の株式の転換もしません。本議案はすでに会社の第1期取締役会第17回会議の審議によって可決され、2021年年度株主総会の審議が必要である。八、会社の管理の特殊な手配などの重要な事項があるかどうか□適用√適用しない九、展望性陳述のリスク声明√適用□適用しない
本報告書に関連する会社の計画、発展戦略などの既成事実ではない展望的な陳述は、会社の投資家に対する実質的な承諾を構成するものではなく、投資家に関連リスクに注意してください。十、持株株主及びその関連者の非経営性占用資金が存在するか否か
十一、規定の決定手順に違反して対外に保証を提供する場合があるかどうか十二、半数以上の取締役が会社が開示した年度報告の真実性、正確性と完全性を保証できないかどうか十三、その他□適用√適用しない
目次
第一節釈義……5第二節会社概要と主な財務指標……8第三節管理層の討論と分析……12第四節会社のガバナンス……51第五節環境、社会責任とその他の会社のガバナンス……67第六節重要事項……72第七節株式変動及び株主状況…107第八節優先株に関する状況…118第九節社債に関する状況……118第十節財務報告書……118
会社の責任者、主管会計業務責任者、会計機構責任者の署名と捺印を記載した財務諸表
調査書類目録には会計士事務所の捺印、公認会計士の署名と捺印の監査報告書が記載されている
会社の責任者の署名を経た会社の2021年度報告書の原本
報告期間内に中国証券監督管理委員会の指定サイトで公開されたすべての会社の文書の正本と公告原稿
第一節の解釈
一、釈義本報告書において、文義が別途指す場合を除き、以下の語は以下の意味を有する:常用語釈義
会社、当社、盛美指盛美半導体設備(上海)株式会社
上海、盛美半導体
盛美無錫指盛美半導体設備無錫有限会社、盛美上海全資子会社
盛帷上海指盛帷半導体設備(上海)有限会社、盛美上海全資子会社
香港清芯はCleanChip Technologies Limited、清芯科技有限公司、盛美上海全資子会社を指す。
盛米韓国はACM Research Korea CO.,LTD.,香港清芯の完全子会社を指す
盛米カリフォルニアはACM RESEARCH(CA)、INC.、香港清芯の完全子会社を指す。
盛奕科技,指盛奕半導体科技(無錫)有限公司,盛美上海参株公司
アクサはんどうたい
合肥石渓とは合肥石渓産恒集積回路創業投資基金パートナー企業(有限パートナー)、盛美上海参株企業を指す。
青島聚源は青島聚源芯星株式投資パートナー企業(有限パートナー)、盛美上海参株企業を指す。
アメリカACMR,ACMRはACM RESEARCH,INCを指し,
米NASDAQ株式市場上場企業、盛米上海ホールディングス株主
長江ストレージとは長江ストレージ科学技術有限責任会社、盛美上海取引先を指す。
Semiconductor Manufacturing International Corporation(688981) 指 Semiconductor Manufacturing International Corporation(688981) 、盛美上海の取引先
ハイニックスSKハイニックス
華虹グループは上海華虹(グループ)有限会社を指し、盛美上海の取引先を指す。
Jcet Group Co.Ltd(600584) 指 Jcet Group Co.Ltd(600584) 盛美上海取引先
Tongfu Microelectronics Co.Ltd(002156) 指 Tongfu Microelectronics Co.Ltd(002156) 盛美上海取引先
中芯長電指中芯長電半導体(江陰)有限会社、盛美上海取引先
NepesとはNepes corporation、盛米上海の顧客を指す。
台湾合晶科技指合晶科技株式会社、盛美上海取引先
華進半導体指華進半導体パッケージ先導技術研究開発センター有限会社、盛美上海取引先
NINEBELLはNINEBELL CO.，LTD.，盛美上海サプライヤーを指す
DNSはSCREEN Holdings Co.,Ltdを指す.
TELとはTOKYO ELECTRON LTDのこと。
LAMはLAM RESEARCH CORPORATIONを指す
SEMESとはSEMES Co.Ltdを指す.
Naura Technology Group Co.Ltd(002371) 指 Naura Technology Group Co.Ltd(002371)
Kingsemi Co.Ltd(688037) 指 Kingsemi Co.Ltd(688037)
Pnc Process Systems Co.Ltd(603690) 指 Pnc Process Systems Co.Ltd(603690)
Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.China(688012) 指中微半導体設備(上海)株式会社
ASMLとはASML Holding N.Vを指す.
KLAとはKLA CORPORATIONのこと
AppliedとはApplied Materials,Inc.
Materials
NASDAQはNational Association of Securities Dealers Automated Quotations、米ナスダック株式市場を指す
半導体とは、常温で導電性が導体と絶縁体の間に介在する材料を指し、製造技術によって集積回路(IC)、分立素子、光電子、センサに分けられ、以下に広く応用できる。
旅行通信、コンピュータ、消費電子、ネットワーク技術、自動車及び航空宇宙などの産業
シリコンシートとはSiliconWafer、半導体級シリコンシートを指し、集積回路、分立デバイス、センサなどの半導体製品の製造に用いられる。
Integrated Circuitとは、一連の特定の加工プロセスを通じて、トランジスタ、IC、集積回路指ダイオードなどのアクティブデバイスと抵抗器、コンデンサなどのアクティブなオリジナルを一定の回路で相互接続し、半導体ウエハに集積し、1つのハウジング内にパッケージし、特定機能を実行する回路またはシステムを指す。
ウエハとは、酸化/拡散、フォトリソグラフィー、エッチング、イオン注入、フィルム成長、洗浄と研磨、金属化などの特定のプロセス加工過程におけるシリコンシートを指す。
ウエハ工場とは一連の特定の加工技術を通じて、シリコンシート上に半導体デバイスを加工製造するメーカーを指す。
チップは集積回路の担体を指し、集積回路が設計、製造、パッケージ、テストされた結果でもある。
グラフィックウエハとは、表面にパターン構造を有するウエハを指す。
ウエハ製造、チップ製造とは、一連の特定の加工プロセスを通じて、半導体シリコンシートをチップに加工製造する工程であり、前チャネルウエハ製造と後チャネルパッケージ試験に分けられる。
メモリとは、プログラムとデータを格納するための電子システム内の記憶装置を指す。
パワーデバイスとは、電力装置の電気エネルギー変換や制御回路に用いられる大電力の電子デバイスを指す。
NANDフラッシュメモリとは、フラッシュメモリ/データ格納型フラッシュメモリのことである
5 Gは5 th-Generation、すなわち第5世代携帯電話行動通信規格を指す
フォトリソグラフィーとは、光学−化学反応原理と化学的、物理的エッチング法を用いて、回路パターンを単結晶表面または媒体層に伝達し、有効なグラフィックウィンドウまたは機能パターンを形成するプロセス技術を指す。
化学的または物理的方法でシリコン表面に不要な材料を選択的に除去する過程は、エッチングがフォトリソグラフィーに関連するグラフィックス化処理の主なプロセスであり、半導体製造プロセスの重要なステップである。
コーティングとは、フォトレジストをウエハ表面に均一に塗布するプロセスを指す。
現像とは、露光が完了したウエハを結像する過程を指し、この過程により、光抵抗に結像した図形が現れる
CVDはChemical Vapor Deposition，化学蒸着を指す
LPCVDはLow Pressure Chemical Vapor Deposition，低圧力化学蒸着を指す
ALDはAtomic Layer Depositionを指し、原子層堆積は、物質を単原子膜の形で一層一層として基板表面にめっきすることができる方法である。
DRAMとは、Dynamic Random Access Memory、動的ランダムアクセスメモリを指す
Stress Free Polish、無応力研磨技術、この技術は電気化学反応原SFP指理を利用して、ウエハ表面の金属膜を除去する過程で、研磨過程の機械圧力を捨てて、機械圧力の金属配線に対する損傷を根絶する。
誘電体材料とは
