不特定対象者への転換社債申請書類審査センター意見実行書発行に関する回答報告
推薦機構（主代理店）
（北京市朝陽区安立路66号4号棟）
二〇二年四月
上海証券取引所：
貴社が2022年4月14日に発行した上証課審(再融資)〔202273号『関連 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.Ltd(688689) 不特定対象者に転換社債を発行する審査センター意見実行書』(以下「実行書」と略称する)の要求に基づき、 China Securities Co.Ltd(601066) (以下「 China Securities Co.Ltd(601066) 証券」、「推薦機関」または「推薦人」と略称する)は Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.Ltd(688689) (以下「 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.Ltd(688689) 」、「発行人」または「会社」と略称する)として、転換社債を不特定の対象に発行する推薦機関(主販売業者)として、勤勉で責任を果たし、誠実で信用を守る原則に基づいて、実行書に提出された問題について項目ごとに真剣に討論し、審査し、実行する。項目ごとに回答説明を行った。具体的な回答内容は添付します。
回答内容の解釈、フォーマット及び補足更新開示等に関する説明：
1、特別な説明がない場合、本回答で使用する略称または名詞の解釈は、「 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.Ltd(688689) 転換社債募集説明書(上会稿)」の解釈と同じである。
2、本返信において、合計数の末尾が列挙した数値の総和の末尾と一致しない場合は、いずれも四捨五入によるものとする。
3、本返信のフォントは以下の意味を表します。
実行書に記載されている問題の黒体(太字)
実行書に記載された問題に対する回答宋体
元募集説明書に記載されている内容
釈義
散逸電力とは、トランジスタが安定して動作し、パラメータ変化が所定の許容値を超えないときの最大電力を指し、トランジスタの最高許容接合とコレクタ最大電流と密接な関係がある
定格電流とは、定格環境条件(環境温度、日照、標高、取付条件等)で長期にわたって連続して動作可能な電流をいう
流水線のように一連のプロセスステップを通じてチップを製造し、チップの製造過程において一般的に2つの時間を流片と呼ぶことができる。大規模生産チップはその一つである。また、フローシートは、チップ設計が成功したか否かをテストするために、1つの回路図から1つのチップまで、各プロセスステップが実行可能であるか否かを検査し、回路が所望の性能と機能を備えているか否かを検査しなければならない。フローシートが成功すれば、チップを大規模に製造することができる。逆に、その原因を特定し、適切な最適化設計を行う必要があります。
パワーTOLLシールとは、大電力応用に適し、低導通抵抗と高速切替式MOSFETに特化したカスタマイズされたパッケージタイプを指す。
SGT構造は全称:Shield Gate Trenchを指し、中国語では「シールドゲート溝」と訳されている。この設計はデバイスMOSプロセスを最適化し、製品の生産コストを低減し、同時に製品の良率を高めることができる。
中国語の翻訳は「溝」です。チャネルを縦方向に配置することで、セルの面積を小さくすることができ、TRENCH構造はセルを多く配列することができるので、同じチップ面積の場合、オン抵抗を小さくすることができる
DFNパッケージング技術とはDual Flat No-Leads Package、二列フラットピンレスパッケージング技術の略である
MOSFETがオフ状態にある場合、インダクタンスに蓄積された電圧がMOSFETが雪崩指電圧を破壊した後、雪崩が破壊される。雪崩破壊が発生すると、インダクタンスの瞬間放電電流が閉じたMODFETに流れ、高電力損失を招く
問題1.発行者の説明:発行者募集プロジェクトにおけるゲージ級半導体デバイス産業化プロジェクトの具体的な製品門類及び対応する生産能力計画、対応細分領域の市場競争状況、ゲージ級デバイスの手注文に対応する具体的な製品門類;発行者はMOSFETデバイス上の技術研究開発レイアウト、技術レベル、報告期間内の収入の割合と手作業での注文状況を明確にし、今回の募集プロジェクト製品がMOSFETデバイスに関連しているかどうかを明確にし、関連する場合は、対応する生産能力計画と利益予測状況を説明してください。
発行者は上記の事項に合わせて募集説明書と質問回答における関連記述を修正してください。
推薦機関に査察して意見を発表してください。
返信
発行者説明
一、発行者募集プロジェクトにおける車規級半導体デバイス産業化プロジェクトの具体的な製品門類及び対応する生産能力計画、対応細分領域の市場競争状況;
(I)発行者募集プロジェクトにおけるゲージ級半導体デバイス産業化プロジェクトの具体的な製品品目及び対応する生産能力計画
会社の今回の車規級半導体デバイス産業化プロジェクトの主な製品は車規級半導体分立デバイスである。世界半導体貿易統計協会(WTS)の定義によると、電力、電流指標によって、分立デバイスは小信号デバイスと電力デバイスの2つに分類することができ、そのうち、散逸電力が1 W未満(または定格電流が1 A未満)は小信号デバイスに分類され、散逸電力が1 W未満(または定格電流が1 A未満)は電力デバイスに分類される。チップ構造と機能により、ダイオード、三極管、整流ブリッジなどに分けることができる。
今回の募集プロジェクトの具体的な製品の門類構造は以下の表に示すことができる。
製品総称一級門類二級門類今回の募集プロジェクトに関連する細分品種
小信号ダイオードスイッチダイオード、ショットキーダイオード、定電圧、小信号デバイスダイオードESD保護ダイオード
小信号三極管MOSFET、バイポーラ型三極管(BJT)、ゲージ級半導体分立デバイスデジタル三極管
整流ダイオード、高速回復ダイオード、ショットパワーデバイスパワーダイオードベースダイオード、過渡ダイオード(TVS)、双方向トリガダイオード、固体放電ダイオード、定電圧ダイオード
製品総称一級門類二級門類今回の募集プロジェクトに関連する細分品種
パワートランジスタMOSFET、バイポーラトランジスタ(BJT)整流ブリッジは、
今回の募集プロジェクトの具体的な製品門類の生産能力達成計画は以下の通りである。
単位：百万匹、万元
製品門類達産年生産能力計画達産年利益測定
小信号ダイオード3151501248390
小信号三極管885.50341990
小信号デバイス小計4037001590380
パワーダイオード620.00159235
パワートランジスタ189.00876665
そのうち：MOSFET 150.50825460
パワーデバイス小計809. Shandong Sunway Chemical Group Co.Ltd(002469) 500
合計484 Beijing Dynamic Power Co.Ltd(600405) 9880
注:今回の募集生産能力測定は生産工程の各設備、特に肝心な設備、及び相応のセットの金型、組立と治具を根拠とし、金型などは製品の外形、寸法の違いにより、具体的にパッケージ形式で体現されているため、最終的にパッケージの外形を計画生産能力の最小単位とする。
ほとんどの細分品種とパッケージ外形との対応関係は多対多であり、すなわち同じ製品型番であり、いくつかのパッケージ外形に対応することができ、同じパッケージ外形でもいくつかの細分製品型番に対応することができる。そのため、上表は2級製品の門類を主とし、すべての細分化製品の型番には具体的ではない。
上表によると、今回の募集プロジェクトは産後に達し、計画生産能力の面では、小信号デバイス、特に小信号ダイオードが高い。予想利益から見ると,パワーデバイスは測定単価が高いため,総利益において比較的高い。
(II)細分化分野に対応する市場競争状況
上述したように、今回募集された製品のゲージ級半導体分立装置は、消費電力(または定格電流)の観点から小信号素子、電力素子に分けることができ、チップ構造および機能の観点からダイオード、三極管に分けることができる。上記の分類次元は互いに交差せず、概略図の状況は以下の通りである。
今回の募集プロジェクトの製品対応細分化分野の市場競争状況を、小信号デバイス、パワーデバイス、ダイオード、三極管(MOSFETを含む)の4つの門類次元から述べた。
1、小信号デバイス領域
数十年の発展を経て、世界の小信号デバイス業界の技術発展は成熟し、市場競争は十分で、欧米、日本及び中国台湾地区のメーカーは先発優位を持っている。技術レベルの面では、国外の有名な半導体分立デバイスメーカーがリードする8インチウエハ製造技術、多規格、中ハイエンドチップ製造技術、先進的なシールパッケージ技術を掌握し、世界競争の中で優位な地位を維持している。特に小信号MOSFET分野では、現在、恩智浦、英飛凌などに代表される欧米のリード企業の圧倒的なシェアを握っている。下流の製品応用分野から見ると、国外のリードメーカーが生産した製品は主に自動車電子、工業制御、モノのインターネットなどの中高級分野に応用され、価格交渉能力が強く、製品の利益率が一般的に高い。
中国の小信号デバイス業界はスタートが遅く、急速な発展段階にあり、国産製品市場の参加者数は少なく、 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.Ltd(688689) のほか、楽山無線、 Jcet Group Co.Ltd(600584) Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.Ltd(300373) などの少数のブランド商しかいない。近年、国産の小信号デバイスは徐々に市場供給システムに参加し、中低端の一部の応用シーンでは輸入代替を基本的に実現している。中・ハイエンドの応用シーンでは、中国のトップ企業が技術の追い越しを実現し、下流の需要端の国産代替意欲が年々高まっている。将来、中国の小信号デバイス業界がハイエンド製品の技術ボトルネックを徐々に突破するにつれて、輸入代替効果はさらに現れるだろう。
2、パワーデバイス領域
産業競争の構造から見ると、世界のパワーデバイスの中でハイエンド製品の生産メーカーは主に欧米、日本、中国台湾地区に集中しており、上位10大パワーデバイスメーカーは世界の60%の市場シェアを占め、すべて海外メーカーである。中国のパワーデバイス産業はスタートが遅いが、市場規模の成長が速い。長期にわたって企業規模と技術レベルの制約を受けているため、ハイエンドパワーデバイス分野では全体的な規模効果とクラスタ効果が形成されていない。現在、中国のパワーデバイス産業は加工製造と封止部分に集中しており、産業構造は中低端を主とし、国際メーカーは依然として中国の高付加価値パワーデバイス市場の絶対的な優位地位を占めている。例えば、国際第一線ブランドメーカーのダルコの50%以上の収入は中国から来ている。輸入代替空間は巨大だ。海外メーカーに比べて、中国の工場は
