\u3000\u3 Shengda Resources Co.Ltd(000603) 290 Starpower Semiconductor Ltd(603290) )
イベントの概要:
会社は2021年の業績速報を発表した:年間収入17億元、YoY+77%、帰母純利益3.98億元–予告区間上限に近づき、YoY+121%、非帰母純利益3.78億元–予告区間上限に近づき、YoY+143%に対応する。試算によると、21 Q 4会社は5.1億元の売上高を実現し、QoS+7%、YoY+73%、当季の帰母純利益は1.3億元、QoS+16%、YoY+179%、非帰母純利益は1.26億元、QoS+15%、YoY+215%である。
21年間で高い増加を実現し、Q 4の収益力をさらに向上
1)会社は高速成長通路にある:20 Q 4-21 Q 4、会社の四半期の売上高の環比成長率は17%、10%、21%、21%、7%の順である。需要の面から見ると、会社は国産IGBTのリーダーとして、業界の景気、国産の代替から十分に利益を得ている。供給側から見ると、会社はウエハ工場の大顧客として生産能力の保障を受けやすく、業務の急速な成長を支えている。2)製品構造の改善、利益能力の向上:20 Q 4-21 Q 4、会社の各四半期の非純金利は13.6%、20.0%、19.5%、23.0%、24.7%の順で、全体は四半期ごとに高くなった。これは会社が研究開発を増やし、高付加価値製品を絶えず開発し、製品構造の最適化のおかげである。具体的には、2021年に新エネルギー自動車、太陽光発電/風力発電/エネルギー貯蔵などのハイエンド分野で急速に放出され、売上高の割合がさらに向上した。
太陽光発電製品は大量に機械を積んで、車規製品は22年加速して量を放出します
光伏:21 H 1、会社IGBTモジュールとデバイスは、光伏の取引先で大量の組立を開始します。会社はすでに多くの光起電力、風力発電インバータのリーダーの重要なサプライヤーになった。新エネルギー車:1)21 H 1社が主駆動用のゲージ級IGBT持続放出量;2)会社の第7世代のマイクロ溝車規IGBTチップは21 H 1で研究開発に成功し、22年の量産供給を予定している。2)会社の車規SGTMOSFETはすでに小ロットの供給を開始し、第3世代半導体分野では、すでに複数のSiCMOSFETモジュールの800 Vプロジェクトの定点を追加し、2021年9月8日現在、SiCMOSFETは手書き注文で3.4億元に達し、納期は22-23年である。
自作ラインが中長期成長空間を開く
会社21 M 3公告35億定増プロジェクト方案:1)15億元高圧チップ産業化に用いる;2）SiCチップ産業化に5億元を使用する；3)7億元をパワーモジュールの自動化改造に使用する；4)流動資金8億元を補充する。この案は同年9月に証券監督管理委員会で可決された。プロジェクトの完成後、年間30万枚の6インチ高圧パワーウエハ、6万枚のSiCウエハ、400万個のパワーモジュールの生産能力を獲得する予定である。これにより、1)会社は3300 V以上のIGBTモジュールの供給能力を備え、( Shenzhen Inovance Technology Co.Ltd(300124) Shenzhen Invt Electric Co.Ltd(002334) 、西門子などの既存の顧客に対する出荷範囲をさらに拡大することができる。2)会社は自主的なゲージSiCMOSFETチップを持って、それによってゲージ級SiCモジュールの生産能力保障能力を向上させる。
投資アドバイス
2021年に会社の業績速報が発表した利益が予想を上回ったことと、2023年のSiC製品の収入が期待されていることを考慮して、私たちは会社の202122/23年の帰母純利益の予測を4.0/6.1/8.7億元(これまでの予測は3.5/4.8/6.5億元)に調整し、対応PEは159105/73倍だった。新エネルギーIGBT分野でのリードを考慮すると、国産代替の加速から十分な利益を得ることが期待されている。「購入」の格付けを維持します。
リスクのヒント
業界の景気は予想に及ばず、研究開発の進展は予想に及ばず、募集プロジェクトは予想に及ばない。
