\u3000\u3 Jointo Energy Investment Co.Ltd.Hebei(000600) 460 Hangzhou Silan Microelectronics Co.Ltd(600460) )
3月28日、 Hangzhou Silan Microelectronics Co.Ltd(600460) は21年の年報を発表し、会社の売上高は71.94億元で、前年同期比68.07%増加し、母の純利益は15.18億元で、前年同期比214525%増加した。非純利益8億9500万元を差し引き、前年同期より大幅に赤字に転じた。
21 Q 4費用の計上は利益の表現に影響し、22年のガイドラインは自信を示している。Q 4の売上高は19.72億元で、前年同期比49.80%増加し、前月比3.06%増加した。粗金利は34.11%で、環比は0.88 pct減少した。帰母純利益は7.90億元である。非純利益は2.08億元で、前月比は-27.10%減少した。非純利益リング比の低下の主な原因:1)Q 4は約4500万の資産減損損失を計上し、主に在庫の下落と建設中の工事の減損である。2)研究開発費用の投入が多く、Q 3より約3000万増加した。3)会社の12インチ生産ラインの投入が増加し、権益法で計算した長期株式投資収益が減少した(投資収益科目で計算したが、経営性の影響に属する)。同社は2022年に売上高100億元前後(前年同期比39%前後)を実現し、営業総コストは85億元前後(同41%前後)に抑え、同社の発展自信を十分に示すと予想している。
生産能力は持続的にコードを追加し、製品構造は着実にアップグレードされている。会社は21年末の12寸月に3.6万枚を超え、22年末には6万枚に達し、中国最大の生産能力のIDM会社になると予想しています。また、同社の製品価値量は引き続き上昇しており、例えば21年下半期の士蘭集積5/6インチの単片売上高は662.87元に達し、上半期より4.30%上昇し、8インチの単片売上高は182735元で、上半期より8.73%上昇し、製品構造の着実な向上を体現している。
IGBTなどのハイエンド製品は加速的に突破し、下流は工業、自動車市場に力を入れている。IGBT方面、会社の車用IGBTモジュールは Wuhan Lincontrol Automotive Electronics Co.Ltd(688667) 、零走、匯川、 Byd Company Limited(002594) などで出荷を検証し続けている。太陽光発電の方面と日光、 Jiangsu Goodwe Power Supply Technology Co.Ltd(688390) などの主流のメーカーはすべてあります;家電IPMモジュールは家電と工業の周波数変換市場を広く応用し、日系メーカーに徐々に代替しており、21年の売上高は8.6億元を突破し、さらに2世代IPMモジュールを発売している。工制御分野も汇川、 Shenzhen Invt Electric Co.Ltd(002334) などと提携して供給を増やしている。
SiCについては、同社はすでにゲージ級SiCMMOSFETデバイスの研究開発を完了し、全面的な信頼性評価を行っており、顧客に評価を送り、量産を開始する。また、アモイの士蘭明ガリウム建設に着手した6インチSiC生産ラインは22年Q 3で開通する見通しだ。GaNも内部評価のための工程サンプルを持っている。
MEMSについては、同社の売上高が2億6000万元を突破し、加速度計などの製品がHMOVなどのトップ顧客に進出し、白電、工業、自動車などの分野への拡大を加速させる。
アナログチップについては、20 W-65 Wの電力範囲をカバーする一連の携帯電話の速充、車充製品を発売し、複数のDC-DC電源チップを含む複数のセキュリティ用PoE(イーサネット給電)チップを発売した。長期的な目標は、ゲージと工業レベルの電源管理と信号チェーン市場に焦点を当てることだ。
投資提案:当社は202223/24年の帰母純利益がそれぞれ14.41/2.95/26.64億元で、現価(2022.4.1終値)PEがそれぞれ47/32/25倍であると予想しており、当社の製品のハイエンド化のアップグレードの進展を期待しており、IGBT、MEMS及び第3世代半導体などの業務の進展が着実に推進され、成長潜在力がより期待されている。推奨評価を維持します。
リスクヒント:業界の周期的な変動リスク;テクノロジーの反復が予想されるリスクに及ばない。生産能力の上昇と顧客の開拓が予想に及ばないリスク
