Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.Ltd(300373) 新製品の加速放量、2021会社の業績の伸び率は明らかである

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会社は2021年報を発表した。2021年、同社の売上高は43.97億ドルで、前年同期比68.00%増加した。帰母純利益は7.68億元で、前年同期比103.06%増加した。非純利益は7.08億ドルで、前年同期比92.48%増加した。粗金利は35.11%で、前年同期比0.84 pct増加した。2021年の会社の業績は高速成長を実現し、主な原因はパワー半導体の高景気度と下流の持続的な旺盛な需要であり、会社は生産能力の放出を加速させ、同時に新製品の業績の急速な向上である。2021年会社のMOSFET製品の収入は前年同期比130%増加し、小信号製品の収入は前年同期比82%増加し、IGBT製品の収入は前年同期比500%増加し、モジュール製品の収入は前年同期比35%増加した。

景気は続き、2022 Q 1の業績は好調だった。同社は2022第1四半期の業績予告を発表し、2022 Q 1社の帰母純利益は2.33~2.80億ドルで、前年同期比50%~80%増加する見通しだ。非純利益は2.32~2.78億元で、前年同期比51.72%~82.26%増加した。第1四半期の電力半導体の高景気度は継続し、会社は新築生産能力の放出を加速させ、新製品の開発を積極的に推進し、そのうちIGBT、SiC、MOSFETなどの新製品は目立っており、2022四半期の販売収入の増加はいずれも100%を超えた。

研究開発に力を入れ、プロジェクトを積極的に推進する。2021年に同社の研究開発に2.42億ドルを投入し、前年より1.11億ドル増加し、研究開発費用率は5.01%だった。会社は研究開発プロジェクトを継続的に推進し、現在8インチ1200 VIGBTチップ製品はすでに市場に投入され、大量の注文を獲得している。MOSFET製品は複数のヘッド顧客の審査を通過する。SiCモジュールと650 VsiCSBD、1200 VシリーズSiCSSBDの全シリーズ製品の開発に成功し、SiCMOS製品はすでに1000時間の検証を完了し、審査段階に入った。FRED整流チップは200 V~1200 Vの量産を実現し、650 V、1200 Vの継続チップはすでに量産された。

国産代替金期、電力市場の規模は着実に向上した。IHSmarkitのデータによると、20192024年の世界ダイオード市場規模は43.26億ドルから46.62億ドルに増加すると予想されている。CAGR 1.51%;中国のダイオード市場は14.39億ドルから15.54億ドルに増加し、CAGR 1.55%。Yoleのデータによると、20202026年に世界のシリコンベースMOSFET市場は75億ドルから94億ドルに増加し、世界のIGBT市場は54億ドルから84億ドルに増加する。2018年のIGBTは世界のパワーデバイス市場の約27.5%を占め、2024年には28.1%に増加する。現在、中国のパワー半導体市場は世界市場で重要な位置を占めているが、中高級MOSFETとIGBTデバイスの中で依然として主に輸入に依存しており、国産代替空間が広い。

製品は持続的に突破し、IDMモデルは納品の優位性を持っている。同社は8インチ1200 VTrenchIGBTチップとモジュールの量産を開始し、大量の注文を獲得した。1200 V 40 A、650 V 50 A75 AシリーズIGBT単管製品は小ロット量産納品を開始する。会社はIDMモデルを採用し、全産業チェーンのコスト最適化優勢と完備した技術、工芸優勢を持っている。当社の20222023/2024売上高はそれぞれ59.35/77.75/106.91億元で、帰母純利益は11.18/13.51/18.48億元であると予想しています。対応PE 29.6/24.5/17.9x。「購入」の格付けを維持します。

リスク提示:製品開発は予想リスクに及ばず、生産能力の拡充は予想リスクに及ばない。

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